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第一章   半导体二极管
内容简介
本章首先介绍半导体的导电性能和特点，进而从原子结构给与解释。先讨论PN结的形成和PN结的特性，然后介绍半导体二极管特性曲线和主要参数。分析这些管子组成的几种简单的应用电路，最后列出常用二极管参数及技能训练项目。
技能教学目标
    1.了解半导体基础知识，掌握PN结的单向导电特性；
    2.熟悉二极管的基本结构、伏安特性和主要参数；
    3.掌握二极管电路的分析方法；
    4.了解特殊二极管及其应用。
技能教学目标
    1.能够识别和检测二极管，会测定二极管简单应用电路参数。
本章重点
    1.要求掌握器件外特性，以便能正确使用和合理选择这些器件。如：半导体二极管：伏安特性，主要参数，单向导电性。
    2.二极管电路的分析与应用。
本章难点
    1.半导体二极管的伏安特性，主要参数，单向导电性。
2.二极管电路分析方法。
1.1  半导体的基础知识
从导电性能上看，通常可将物质为三大类：导体： 电阻率 ，缘体：电阻率 ， 半导体：电阻率ρ介于前两者之间。目前制造半导体器件材料用得最多的有：单一元素的半导体——硅(Si)和锗(Ge);化合物半导体 —— 砷化镓(GaAs)。
 图1.1.1 半导体示例
1.1.1 本征半导体
    纯净的半导体称为本征半导体。用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素，其最外层原子轨道上有四个电子（称为价电子）。在单晶结构中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有，形成图1.1.2所示的共价健结构，图中+4代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷。共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。
    因此，半导体中有自由电子和空穴两种载流参与导电，分别形成电子电流和空穴电流，这一点与金属导体的导电机理不同。
1.1.2 杂质半导体
    在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。
一、 N型半导体
    若在四价的硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素(如磷、锑、砷等)，则晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原 子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样，在该半导体中就存在大量的自由电子载流子，空穴是少数载流子，这种半导体就是N型半导体
第五章  线性集成电路的应用
内容简介
  线性集成电路主要有集成运算放大器、集成宽带放大器、集成功率放大器等，它们广泛用于各种信号的放大、运算与处理电路中。本章重点讨论线性集成器件在交流电路中的应用。
  线性集成电路是采用直接耦合的多级放大电路，所以它们的下限频率趋于零，但随着工作频率的升高，其增益将随之下降。通用型集成运算放大器开环上限频率一般都比较低，如集成运放741只有7Hz，单位增益带宽也只有1MHz左右。
因此，用线性集成电路构成各种交流电路时，其上限工作频率将取决于集成器件的高频参数。本章先介绍放大电路频率特性的基本概念，然后讨论线性集成电路在交流小信号放大、有源滤波及功率放大电路中的应用及其调整测试方法。
知识教学目标
 1.熟悉放大电路的频率特性。
 2.了解集成运放在小信号放大电路的应用。
 3.掌握集成功率放大器基本应用方法。
技能教学目标
  能够选择集成运算放大器芯片，并会对线性集成电路进行调整和测试。
本章重点
 1.晶体三极管及其单级放大电路的高频特性。
 2.一阶低通滤波器的结构和工作特点。
 3.常用集成功率放大器的基本结构和功能。
本章难点
 1.集成运算放大器的高频参数及其影响。
 2.有源高通、带通、带阻滤波电路的基本特性。
5.1 放大电路的频率特性
放大电路对正弦输入信号的稳态响应特性称为频率特性。有关放大电路频率特性的若干基本概念，已在第3章中作了介绍，这里将深入介绍频率特性的基本分析方法，并对晶体三极管及其单级放大电路的高频特性、集成运算放大器的高频参数及其影响进行讨论。
5.1.1  简单RC低通和高通电路的频率特性
 一、RC低通电路的频率特性
  用电阻R和电容C构成的最简单的低通电路如图5.1.1(a)所示，由图可写出其电压传输系数为
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